单晶硅片

单晶硅片按生产工艺分直拉硅片（CZ）和区熔硅片（FZ），工艺不同，相应的成本及工艺特性也不同。直拉硅片因为有坩埚接触和加热环节引入的石墨，会导致氧和碳等杂质含量高，当然也可在这过程中直接掺杂硼或者磷元素；区熔硅片则是无坩埚接触，且杂质通过熔区移动被排除，进而得到本征、高阻硅片。掺杂工艺比较，CZ法在熔融硅中直接掺杂，FZ法需通过气相或中子嬗变掺杂（NTD），工艺更复杂。总结就是CZ法牺牲部分纯度，换取低成本和大规模量产能力；FZ法通过极致工艺实现超高纯度，满足高端半导体需求。